RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 9, страницы 1642–1647 (Mi phts2495)

Влияние аморфизации на энергетические состояния валентных электронов в кремнии

В. И. Гавриленко, А. М. Грехов, Г. А. Катрич, В. В. Климов, В. Г. Литовченко


Аннотация: Измерены спектры фотоэлектронной эмиссии поли- и монокристаллического, а также аморфного гидрогенизированного Si. В рамках полуэмпирической схемы сильной связи рассчитано изменение энергетических состояний валентных электронов при структурном разупорядочении кремния. В результате сравнения теории и эксперимента сделаны выводы о характере искажений структуры в ближайших координационных сферах кремния при аморфизации. На основании изложенной модели проанализированы полученные ранее литературные данные по фотоэлектронной спектроскопии аморфного Si.



© МИАН, 2024