Исследование вольтамперных характеристик $p{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний

Исследованы обратные ветви вольтамперных характеристик мелко залегающих $p^{+}{-}n$-переходов поликристаллический кремний–монокристаллический кремний, полученных методом газофазного осаждения слоя легированного поликристаллического кремния на маскированную окислом кремния монокристаллическую подложку. Показано, что ток на обратной ветви ВАХ исследуемых $p{-}n$-переходов представляет собой сумму диффузионной и генерационных составляющих области пространственного заряда на поверхности и в объемной части $p{-}n$-перехода.
Приведены ВАХ $p^{+}{-}n$-переходов, хорошо совпадающие с расчетными.