В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, “Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (${\tau= 1.3}$ мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 9,страницы 1652

Форма краевой полосы в InGaAsP/InP ДГС (${\tau= 1.3}$ мкм) при низком и высоком уровне фотовозбуждения

В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, В. В. Агаев, В. Б. Халфин, В. П. Чалый

Аннотация: Исследована форма спектра межзонного излучения ДГ-InGaAsP/InP-стpyктyp при малом (${\Delta p<n_{0}}$) и высоком (${\Delta p>n_{0}}$) уровнях фотовозбуждения. Проведено сопоставление с данными по краю поглощения аналогичных образцов, позволившее оценить факторы, влияющие на форму спектра краевого излучения при малых уровнях возбуждения. Обнаружено значительное уширение полосы краевого излучения при увеличении уровня возбуждения, обусловленное переходом к вырожденному распределению неравновесных носителей в зоне проводимости.