RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 9, страницы 1663–1666 (Mi phts2499)

О количественных оценках параметров радиационного дефектообразования в кремнии $n$-типа

А. И. Баранов, А. В. Васильев, Н. И. Комолова, С. А. Смагулова


Аннотация: Предложен способ оценки соотношения скоростей введения первичных и вторичных дивакансий, а также долей вакансий, идущих на комплексообразование и на стоки. Из сравнения с экспериментом по определению (методом DLTS) эффективностей введения $A$-, $E$-центров и дивакансий при электронном облучении кремния $n$-типа (тигельного — КЭФ-1 и зонного — БКЭФ-1) получено, что доля первичных дивакансий составляет 0.94 в материале КЭФ-1 и 0.62 — в БКЭФ-1. В предположении резкого порога образования пар Френкеля оценена скорость генерации вакансий при импульсном облучении и на этой основе проведены оценки долей вакансий, идущих на образование вторичных дивакансий, $A$-, $E$-центров и на стоки. Оказалось, что на стоки идет 96$-$97% генерированных вакансий.



© МИАН, 2024