Спин-зависимая рекомбинация и низкочастотная ЭПР спектроскопия примесей и дефектов в кремнии

Эффект изменения фотопроводимости кристаллов кремния при насыщении ЭПР переходов парамагнитных центров рекомбинации был использован для регистрации спектров ЭПР радиационных дефектов в слабооблученных кристаллах кремния. Регистрация спектров ЭПР в образцах с содержанием дефектов менее $10^{12}\,\text{см}^{-3}$ осуществлялась по изменению добротности резонатора спектрометра за счет изменения концентрации фотовозбужденных носителей при резонансе. Продемонстрирована возможность наблюдения сигналов ЭПР в слабых магнитных полях на низких частотах. Обнаружены эффекты изменения фотопроводимости образцов в отсутствие резонансного переменного поля при значениях постоянного магнитного поля, соответствующих точкам пересечения магнитных подуровней парамагнитных центров со спином ${S > 1/2}$. С помощью предложенной экспериментальной методики обнаружен ряд новых спектров ЭПР в облученных кристаллах кремния.