Структурные дефекты в расплавах полупроводников

Дан обзор экспериментальных исследований строения и свойств расплавов полупроводников вблизи температуры плавления. Отмечено, что в некотором температурном интервале выше $T_{\text{пл}}$ они отличаются наличием структурных дефектов типа кластеров, различающихся строением и характером межатомных связей, аналогичным наблюдаемому в твердой фазе.
В рамках модели Эйнштейна дан расчет объемной доли кластеров при различных температурах в расплавах ряда простых тел и полупроводниковых химических соединений. Показано, что применение структурно-чувствительных свойств, и особенно их анализ на основе теории активированного комплекса и уравнения Бачинского, позволяют с достаточной определенностью выявить интервал температур, в пределах которого происходит трансформация квазигетерогенного состояния расплава в истинно гомогенное состояние.
На основе акустических исследований выполнены расчеты потенциалов ион-ионного взаимодействия с использованием приближений Боголюбова–Борна–Грина, Перкуса–Йевика и гиперцепного, которые показали, что наличие структурных дефектов влияет на общий вид потенциалов парного взаимодействия. Отмечено также, что наличие кластеров существенно влияет на кинетику кристаллизации и подчеркивает роль структуры ближнего порядка расплава в осуществлении этого процесса.