Изменение концентации носителей при перестройке зонной структуры в твердых растворах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, легированных теллуром и оловом

Исследовано распределение концентрации свободных электронов в легированных теллуром или оловом эпитаксиальных слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As с составом, изменяющимся по толщине в пределах ${0.3\leqslant x\leqslant0.6}$. Установлено, что сложный характер распределения концентрации свободных носителей не зависит от типа донорной примеси и обусловлен изменением структуры зоны проводимости с составом твердого раствора, а также взаимодействием донора с $\Gamma$-, $L$- и $X$-долинами зоны проводимости. Выявлено влияние уровня легирования на зависимость концентрации свободных носителей от состава твердого раствора. Предложена модель, учитывающая взаимодействие донорных уровней, позволяющая объяснить наблюдаемые экспериментальные кривые и произвести количественный расчет зависимости концентрации свободных носителей от состава.