Спектральные зависимости фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Теоретические соотношения

Теоретически исследованы спектральные зависимости фототока в диодах Шоттки на основе аморфного гидрогенизированного кремния с учетом малости длины диффузионного смещения и особенностей формы области пространственного заряда. Показано, что в указанном случае длина собирания носителей заряда сокращается по мере увеличения коэффициента поглощения света, т. е. при уменьшении длины волны освещения.
Сформулированы условия, позволяющие пренебречь рекомбинацией в области сильного поля, где распределение неосновных носителей определяется их дрейфовой скоростью. Получены соотношения между длиной собирания и длиной диффузионного смещения.