Исследование процесса переключения обратно смещенного $p{-}n$-перехода в высокопроводящее состояние с помощью моделировани на ЭВМ

С помощью математического моделирования на ЭВМ исследован процесс переключения обратно смещенного $p{-}n$-перехода в высокопроводящее состояние. Такое переключение экспериментально наблюдалось при подаче на обратно смещенный полупроводниковый диод напряжения $V$ с очень высокой скоростью нарастания ${dV/dt\sim10^{12}}$ В/с.
Развитая модель адекватно описывает важнейшие параметры и режимы переключения. Исследован вопрос о физическом механизме переключения. Показано, что при общепринятых в настоящее время зависимостях коэффициентов ударной ионизации электронов и дырок от поля $\alpha_{n}(E)$ и $\alpha_{p}(E)$ ударная ионизация в квазинейтральной области не может быть ответственна за инициирование процесса переключения при комнатной температуре.
В зависимости от величины тока утечки, начального смещения на диоде $V_{0}$, температуры и значения $dV/dt$ переключение может инициироваться либо пакетом неосновных носителей (дырок), поступающих в зону интенсивной ударной ионизации из квазинейтральной области диода, либо за счет носителей, существующих в обедненной области диода за счет тока утечки.