Аннотация:
Шум $1/f$ исследован в образцах эпитаксиального GaAs
в условиях сильного геометрического магнитосопротивления при температурах
300, 200 и 77 K. При 300 и 200 K максимальное значение геометрического
магнитосопротивления $\Delta\rho/\rho_{0}$ составило ${\sim1.2}$ и 2.75
соответственно. При 77 K ${(\Delta\rho/\rho_{0})_{\max}\approx15}$. Во всем
исследованном диапазоне изменений магнитного поля и при всех температурах
величина относительной спектральной плотности шума не зависела от магнитного
поля. Сделан вывод об объемной природе шума $1/f$. Показано, что
известная гипотеза Хоуге об ответственности за шум $1/f$ решеточной
составляющей подвижности несправедлива.