RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 10, страницы 1830–1834 (Mi phts2543)

Шум $1/f$ в условиях сильного геометрического магнитосопротивления

М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев


Аннотация: Шум $1/f$ исследован в образцах эпитаксиального GaAs в условиях сильного геометрического магнитосопротивления при температурах 300, 200 и 77 K. При 300 и 200 K максимальное значение геометрического магнитосопротивления $\Delta\rho/\rho_{0}$ составило ${\sim1.2}$ и 2.75 соответственно. При 77 K ${(\Delta\rho/\rho_{0})_{\max}\approx15}$. Во всем исследованном диапазоне изменений магнитного поля и при всех температурах величина относительной спектральной плотности шума не зависела от магнитного поля. Сделан вывод об объемной природе шума $1/f$. Показано, что известная гипотеза Хоуге об ответственности за шум $1/f$ решеточной составляющей подвижности несправедлива.



© МИАН, 2024