RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 10, страницы 1835–1840 (Mi phts2544)

Излучательная и безызлучательная рекомбинация сульфида кадмия при низкотемпературной пластической деформации

Е. А. Сальков, Н. И. Тарбаев, М. К. Шейнкман, Г. А. Шепельский


Аннотация: Получены зависимости коэффициента поглощения, величины фототока ($J_{\text{ФП}}$) и интенсивности для всех полос фотолюминесценции (ФЛ) от степени пластической деформации при ${T=77}$ K. Установлено, что на начальных этапах пластической деформации происходит рост как $J_{\text{ФП}}$, так и интенсивности ФЛ ($I_{\text{ФЛ}}$) во всех полосах за счет разрушения центров безызлучательной рекомбинации. При дальнейшем увеличении деформации благодаря образованию нового эффективного канала излучательной рекомбинации $I_{\text{ФЛ}}$ различных полос, а также $J_{\text{ФП}}$ начинают уменьшаться, в результате чего ход зависимостей имеет отчетливо выраженный немонотонный характер.
Установлено два вида точечных дефектов, возникающих при пластической деформации вакансии кадмия и вакансии серы. Обнаружено межцентровое взаимодействие центров «дислокационной» ФЛ и центров «красной» люминесценции.



© МИАН, 2024