Экспериментальная проверка теории отрицательного магнитосопротивления, связанного с квантовой локализационной поправкой к проводимости

Показано, что все основные закономерности ОМС в легированных кристаллах $n$-GaAs хорошо описываются теорией локализационной квантовой поправки к проводимости. При ${H< 2\div3}$ кЭ, ${k_{F}l>1}$ и ${\tau_{\varphi}>4\tau}$ количественное согласие теории и опыта в пределах 5$-$10% погрешности можно считать полным.