RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1983
, том 17,
выпуск 10,
страницы
1902–1904
(Mi phts2570)
Краткие сообщения
Влияние условий облучения и примесного состава кремния на параметры областей скопления дефектов
В. И. Кузнецов
,
П. Ф. Лугаков
Полный текст:
PDF файл (463 kB)
©
МИАН
, 2024