RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 10, страницы 1902–1904 (Mi phts2570)

Краткие сообщения

Влияние условий облучения и примесного состава кремния на параметры областей скопления дефектов

В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков




© МИАН, 2024