Фотоэлектрические явления в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при одноосной деформации

Исследованы фотоэлектрические и электрофизические свойства узкозонного полупроводникового соединения $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x\approx0.19\div0.21}$) в условиях одноосной деформации при ${77\div300}$ K. Предложенный метод позволяет непосредственно во время низкотемпературного эксперимента сопоставлять изменения электрофизических параметров образца со степенью пластической деформации и плотности дислокаций. Показано, что дислокации и дефекты, вводимые при пластической деформации кристалла, имеют донорную природу и являются эффективными центрами рекомбинации.