С. В. Белотелов, А. Б. Коршунов, В. Б. Смирницкий, А. Н. Соляков, С. А. Шестериков
Аннотация:
Исследованы $n{-}p$-переходы, полученные «горячим»
легированием ионами серы антимонида индия $p$-типа. Выбранный режим
ионной имплантации (энергия ионов ${E=40}$ кэВ, температура облучения
${T_{\text{обл}}=290^{\circ}}$С, плотность ионного тока
${j=2.0\,\text{мкА/см}^{2}}$, интервал доз
${D=3.75\div6.25\cdot10^{14}\,\text{см}^{-2}}$) обеспечивает малую степень
разупорядоченности кристаллов. В ток прямой ветви ВАХ $n{-}p$-переходов
основной вклад вносит диффузионная составляющая
(${\eta\approx1.23}$). Обратная ветвь ВАХ характеризуется малой величиной
обратного тока ${J=5\cdot10^{-7}\,\text{А/см}^{2}}$ при
${U=2\div4}$ В и высокими значениями пробивного напряжения
${U_{\text{пр}}=10\div12}$ В.