П. У. Арифов, Н. Ю. Арутюнов, В. Ю. Тращаков, З. Р. Абдурасулев, “Эффект анизотропии широкого компонента углового распределения аннигиляционного излучения в германии и кремнии”, Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 11,страницы 1926

Эффект анизотропии широкого компонента углового распределения аннигиляционного излучения в германии и кремнии

П. У. Арифов, Н. Ю. Арутюнов, В. Ю. Тращаков, З. Р. Абдурасулев

Аннотация: Проведены прецизионные измерения широкого компонента углового распределения аннигиляционного излучения в монокристаллах германия и кремния. Обнаружено, что для кристаллографических направлений [111], [110] и [100] параметры указанного компонента существенно различаются. Наблюдаемый эффект объяснен различиями в распределений остовных электронов по импульсам. В отличие от результатов, полученных для широкого компонента, анизотропия угловых распределений аннигиляционных $\gamma$-квантов, соответствующих процессу аннигиляции позитронов с валентными электронами в германии и кремнии, качественно одинакова.