Физика и техника полупроводников,
1983, том 17, выпуск 11,страницы 1931–1934(Mi phts2578)
Светящиеся точки и пробой в структуре транзисторов на GaAs
Б. С. Кернер, Н. А. Козлов, А. М. Нечаев, В. Ф. Синкевич
Аннотация:
Экспериментально изучены особенности пробоя транзисторных
структур на GaAs. Обнаружено, что излучение в видимом диапазоне спектра,
сопровождающее пробой, концентрируется в виде «точек» в различных
областях структуры. При этом деградация структуры, предшествующая необратимому
пробою, сводится к появлению на поверхности полупроводниковой пленки капель
Ga, расположение которых соответствует расположению светящихся
точек. Обсуждены возможные механизмы наблюдаемых явлений.