Замечание о собственной проводимости бесщелевых полупроводников

Получено аналитическое выражение для собственной концентрации $n_{i}$ электронов в бесщелевых полупроводниках, справедливое в широкой области значений параметров зонной структуры. Показано, что непараболичность зоны проводимости практически не искажает степенной зависимости ${n_{i}\sim T\,\raise2pt\hbox{$\scriptstyle3$}/{\scriptstyle2}}$. Проведен анализ экспериментальных данных и показано, что в самых чистых кристаллах HgTe область собственной проводимости имеет место пр и ${T\gtrsim50}$ K.