Время жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных эпитаксиальных слоях GaAs

Приведены результаты исследований эффективных значений времени жизни в $n^{0}-$ и $p^{0$-ба}зовых областях арсенид-галлиевых диодных структур. Показано, что в арсенид-галлиевых диодах с ограниченной базой безызлучательный механизм рекомбинации в общем рекомбинационном процессе является определяющим вплоть до очень больших уровней инжекции. Постоянная $\tau_{\text{би}}$, характеризующая этот механизм рекомбинации, изменяется в зависимости от уровня инжекции в соответствии с рекомбинационной теорией Шокли–Рида для случая рекомбинации на глубоком центре с уровнем вблизи середины запрещенной зоны. При изменении температуры окружающей среды от 20 до $160^{\circ}$С времена жизни либо не изменялись, либо весьма слабо возрастали. Указанный характер температурных зависимостей наблюдался в широком диапазоне плотностей прямого тока.