Диамагнетизм и парамагнетизм Ван-Флека в полупроводниках и ионных кристаллах

Проведен анализ зависимости соотношения величин парамагнитной (ван-флековской) $\chi_{p}$ и диамагнитной $\chi_{d}$ составляющих магнитной восприимчивости $|\chi_{p}/\chi_{d}|$ для элементарных полупроводников и ряда соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$ и А$^{\text{I}}$В$^{\text{VII}}$, в том числе для Ge, Si, С, $\alpha$-Sn, BN, АlР, GaAs, InSb, BeO, MgS, ZnSe, CdTe, LiF, NaCl, CuBr, AgJ.
Для указанных веществ, а также для изоэлектронных рядов на основе С, Si, Ge и $\alpha$-Sn рассмотрены зависимости отношения $|\chi_{p}/\chi_{d}|$ от параметра ионности химической связи, от числа электронов в соединении, влияния температуры плавления.
Показано, что отношение $|\chi_{p}/\chi_{d}|$ характеризует как структуру, так и специфику химической связи рассмотренных соединений, в том числе дает возможность выявить степень делокализации валентных электронов.
Из приведенного анализа следует, что отношение $|\chi_{p}/\chi_{d}|$ является надежным критерием при рассмотрении структурно-химического состава и параметров связи различных соединений.