RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 11, страницы 1979–1984 (Mi phts2589)

Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского

Н. Т. Баграев, Н. А. Витовский, Л. С. Власенко, Т. В. Машовец, О. Рахимов


Аннотация: Исследовано пространственное распределение термодоноров в кремнии, выращенном по методу Чохральского и подвергнутом термообработке при ${T=600}$ и $900^{\circ}$С. Показано, что термодоноры образуют скопления двух различных масштабов. Макронеоднородности с размерами в несколько микрон, в свою очередь, состоят из микронеоднородностей, в состав которых входят от 2 до ${\sim20}$ термодефектов. Концентрация макроскоплений достигает $10^{9}\text{см}^{-3}$, а микроскоплений — ${10^{11}{-}10^{13}\,\text{см}^{-3}}$.
В пространстве между макронеоднородностями микронеоднородностей не наблюдается. Результаты, полученные фотоэлектрическим методом, хорошо согласуются с данными метода оптической поляризации ядер.



© МИАН, 2024