Усиление фототока в диодных структурах Au/$n$-InP$\langle\text{Fe}\rangle$

Исследованы вольтамперные характеристики и фотоэлектрические свойства диодных структур Au/$n$-InP$\langle\text{Fe}\rangle$ при ${T=104}$ и 295 K. Обнаружены высокое фотоэлектрическое усиление (${\sim10^{3}}$) и смещение пика кривой спектральной фоточувствительности при прямом приложенном напряжении. Эти опытные данные объясняются образованием статического домена высокого поля вблизи границы металл–полупроводник и модуляцией его проводимости под действием излучения.