Исследование фотоэффектов в кремнии, легированном селеном

Исследованы фотоемкость и фотопроводимость кремния с примесью селена. Показано, что Se в Si создает два донорных уровня с энергиями ионизации ${E_{1}=E_{c}-0.25}$ и ${E_{2}=E_{c}-0.5}$ эВ. Сечение фотоионизации уровня $E_{2}$ при переходе электрона в $c$-зону меньше, чем при переходе из $v$-зоны на уровень. Показано, что большое значение коэффициента фоточувствительности ${\eta=\varkappa/\sigma}$ ($\varkappa$ — сечение фотоионизации, $\sigma$ — сечение захвата) и выполнение условий точной компенсации для уровня $E_{1}$ обеспечивают высокую фоточувствительность фотосопротивлений из $n$-Si$\langle\text{Se\rangle$}. Рассмотрены особенности фотопроводимости Si$\langle\text{Se}\rangle$ при комбинированном освещении.