Поляризация и ширина линии комбинационного рассеяния с переворотом спина на мелком доноре в магнитосмешанном полупроводнике

Теоретически рассмотрены ширина и поляризация линий комбинационного рассеяния света с переворотом спина электрона нейтрального донора в магнитосмешанном полупроводнике в функции температуры и внешнего магнитного поля с учетом флуктуаций локальной концентрации магнитной примеси в кристалле. Показано, что флуктуации концентрации практически не влияют на ширину линии в нулевом магнитном поле, определяя ее в поле, насыщающем намагниченность магнитопримесной системы. Рассчитана зависимость степени циркулярной поляризации рассеянного света от энергетического сдвига при рассеянии от внешнего магнитного поля и температуры.
Результаты теории полностью согласуются с имеющимися экспериментальными данными по комбинационному рассеянию с переворотом спина в кристаллах Cd$_{0.995}$Mn$_{0.005}$S.