Расщепление компонент тонкой структуры линий в фотоэлектрических спектрах эпитаксиальных слоев GaAs в магнитном поле

Описывается обнаруженное в линейчатых спектрах примесной фотопроводимости эпитаксиальных слоев GaAs расщепление компонент тонкой структуры линий, отвечающих оптическим переходам ${1s\to2p}$, +1 и ${1s\to 3p}$, +1 в мелких донорах различной химической природы. Показано, что такое расщепление значительно чаще наблюдается в слоях, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии, и реже — в образцах, полученных газотранспортным методом. Подсветка слоев излучением из области фундаментального поглощения увеличивает величину расщепления, а увеличение угла между нормалью к слою и направлением магнитного поля уменьшает его. Обсуждаются возможные механизмы расщепления и приводятся свидетельства в пользу того, что оно обусловлено взаимодействием между соседними нейтральными донорами, один из которых находится в основном, а другой — в возбужденном состояниях.