В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, Т. М. Мурина, Т. Назаров, А. М. Прохоров, О. А. Ремизов, А. Т. Тешабаев, “Примесные облака и микродефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского”, Физика и техника полупроводников, 1983, том 17, выпуск 12,страницы 2137

Примесные облака и микродефекты в кремнии, выращенном методом Чохральского

В. В. Воронков, Г. И. Воронкова, В. П. Калинушкин, Т. М. Мурина, Т. Назаров, А. М. Прохоров, О. А. Ремизов, А. Т. Тешабаев

Аннотация: Установлена корреляция между интенсивностью рассеяния света примесными облаками и плотностью ямок травления после отжига в широком интервале температур (от 200 до $1200^{\circ}$С). Интенсивность рассеяния для кристаллов, выращенных методом Чохральского, существенно меньше, чем для более чистых кристаллов, полученных бестигельной зонной плавкой. Результаты объясняются влиянием собственных точечных дефектов на образование примесных облаков из примесных включений и влиянием вида и плотности микродефектов структуры на процесс активации облаков.