Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС

Исследована эффективность люминесценции активной области двойных гетероструктур AlGaAs/GaAs и InGaAsP/InP в зависимости от энергии квантов возбуждающего излучения в области ${1.08<h\nu < 3.68}$ эВ. Показано, что в случае InGaAsP/InP ДГ структур эффективность люминесценции может практически не меняться во всем исследованном интервале энергий возбуждающих квантов. Установлено, что этот эффект обусловлен низкой скоростью поверхностной рекомбинации на внешней облучаемой поверхности $n$-InP-эмиттера. Проведено сопоставление результатов с простой теорией, учитывающей только диффузию неравновесных носителей заряда.