Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

Изучались спектры квантовой эффективности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур, перспективных для создания ультрафиолетовых фотоприемников.
Структуры изготавливались жидкофазной эпитаксией и были двух типов: пластически и упруго деформированные. Для того чтобы иметь возможность создавать только упруго деформированные структуры, были выяснены условия перехода от упругой к пластической деформации эпитаксиальных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P-слоев в зависимости от их состава и толщины.
Квантовая эффективность упруго деформированных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур существенно выше, чем пластически деформированных. Эффективность в максимуме спектра упруго деформированных структур составляет $0.5{-}0.6$ эл/фот для проникающих в кристалл фотонов и в 3 раза выше, чем в пластически деформированных. Это обусловлено тем. что диффузионная длина дырок в структурах без пластической деформации оказалась в несколько раз больше.