Кинетика фотопроводимости в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te : In

Изучалась кинетика фотопроводимости (ФП) легированных In эпитаксиальных слоев Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Tе (${x=0.22{-}0.23}$) в интервале температур $4.2{-}300$ K. В нелегированных и легированных до уровня ${< 10^{18}}$ атомов In в см$^{-3}$ слоях ФП была слабой и время ее релаксации составляло ${\lesssim0.2}$ мкс. При увеличении уровня легирования до ${\sim2\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$ амплитуда ФП возрастала более чем в $10^{3}$ раз. В таких образцах в условиях фоновой подсветки и при низких (${\lesssim 77}$ K) температурах наблюдалась как положительная, так и отрицательная ФП с большими временами релаксации. Изучено влияние уровня легирования, температуры и длины волны возбуждающего излучения на кинетику ФП. Длинные времена релаксации в легированных слоях объясняются перестройкой ян-теллеровских центров. Определены некоторые параметры модели ян-теллеровского центра.