Антиструктурные дефекты в соединениях $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$

Систематизированы результаты по обнаружению и изучению антиструктурных дефектов (АСД) в соединениях $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$. Обсуждены особенности образования АСД в процессе роста и при облучении кристаллов электронами, нейтронами и т. д. Установлена взаимосвязь оптических и электрофизических характеристик кристаллов с конкретными АСД. Описаны схемы уровней и электронных переходов в соединениях GaP, GaAs и InP с участием АСД.