Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния

Методом послойной авторадиографии и измерения остаточной активности исследована однородность легирования фосфором тонких пленок аморфного гидрированного кремния ($a$-Si : Н), осажденных на кремниевые подложки и подвергнутых нейтронной активации. На аналогичных пленках, осажденных на кварцевые подложки, изучено влияние фосфора на электрофизические параметры $a$-Si : Н при различных уровнях легирования. Показано, что фосфор, вводимый в пленку в процессе выращивания, распределяется достаточно однородно по площади и толщине пленки. Электропроводность легированных пленок на ${\sim6}$ порядков больше электропроводности нелегированных пленок. Установлено, что концентрация введенных доноров пропорциональна $N^{1/2}_{\text{P}}$, где $N^{}_{\text{P}}$— уровень легирования.