Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой

Теоретически исследовано распространение экситонных поляритонов в сверхрешетке, которая образована чередующимися слоями диэлектрика и полупроводника с пространственной дисперсией, определяемой конечной трансляционной массой экситона. Выведено дисперсионное уравнение для нормальных световых волн. В длинноволновом приближении найдены компоненты тензора эффективной диэлектрической проницаемости для рассматриваемой среды со сверхрешеткой. Показано, что в спектре поляритонов, распространяющихся перпендикулярно слоям, возникают щели, положение и ширина которых существенно зависят от толщины слоев сверхрешетки. При наклонном распространении сохраняются эффекты пространственной дисперсии и, в частности, существуют добавочные световые волны.