Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs

Изучена связь между распределением плотности дислокаций и концентрацией глубоких центров в полуизолирующих кристаллах арсенида галлия. Из исследований, проведенных методами фотоэлектрической релаксационной спектроскопии, фотопроводимости, фотоэлектрохимического тока, видно, что помимо известных центров EL2 изменение плотности дислокаций влияет на концентрацию электронных ловушек ${E_{c}=-0.35}$ эВ (эта концентрация растет с ростом плотности дислокаций) и дырочных ловушек ${E_{v}+0.25}$ и ${E_{v}+0.35}$ эВ (их концентрации падают в высокодислокационных областях). Сопоставление с данными, полученными на кристаллах, выращенных из расплавов с различающейся стехиометрией, позволяет предположить, что наблюдаемая корреляция связана с обогащением областей вокруг дислокаций в GaAs мышьяком. Показано, что обнаруженные центры определяют и спектры фотопроводимости, а также фоточувствительность нелегированного полуизолирующего GaAs.