Краткие сообщения

Смена системы энергетических уровней в запрещенной зоне как фактор, контролирующий скорость реакций между заряженными дефектами в полупроводниках

А. И. Баранов, А. В. Васильев, Л. С. Смирнов

Институт физики полупроводников СО АН СССР, г. Новосибирск

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 14.12.1985
Принята в печать: 06.01.1986