Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

Исследовались закрепление уровня Ферми (УФ) и образование области приповерхностного изгиба энергетических зон при адсорбции на чистые поверхности скола (110) GaAs, InP атомов цезия, сурьмы и кислорода. Регистрировались поляризационные спектры отражения, в которых по мере нанесения покрытий появлялись характерные изменения, отражающие процесс закрепления. Анализ спектров показывает, что в $n$-GaAs закрепление осуществляется при покрытиях, существенно меньших монослоя. Величина возникающего при этом изгиба зон одинакова для всех исследовавшихся адсорбатов, что соответствует универсальной дефектной модели. Обнаружено, что у окисленной поверхности $p$-GaAs изгиб зон почти в 2.5 раза меньше, чем возникающий у той же поверхности при покрытии сурьмой или цезием. Высказано предположение, что за величину изгиба зон у окисленной поверхности $p$-GaAs ответственны состояния окисла. В материалах $p$-InP обнаруженный изгиб зон для всех адсорбатов в несколько раз больше, чем в $n$-InP; это показывает, что закрепляющие уровни в $p$-InP лежат в верхней части запрещенной зоны.