Фотоемкостной эффект на запертых $p{-}n$-переходах

Приведены результаты исследования реакции $p{-}n$-переходов на ИК излучение в условиях, когда энергии, поглощаемой свободными носителями тока, недостаточно для преодоления последними потенциального барьера и фотоответ может возникать вследствие изменения барьерной емкости диодов. Германиевые $p{-n$-пере}ходы возбуждались однократными лазерными импульсами 10.6 мкм длительностью около 150 нc. Зависимости формы импульсного фотоответа от емкости $p{-n$-пере}хода и сопротивления нагрузки подтверждают емкостной характер датчика сигнала. Получены также частотные характеристики ($10^{3}{-}10^{7}$ Гц) фотоответа полевых транзисторов с управляющим $p{-n$-пере}ходом при их облучении непрерывным CO$_{2}$-лазером. Фототок в канале в этом случае линейно связан с фотоиндуцированным изменением барьерной емкости затвора. Наблюдаемый фотоемкостной эффект приписывается инерционному изменению температуры $p{-}n$-перехода и быстрому перераспределению разогретых свободных носителей тока в области объемного заряда.