Высота барьера Шоттки Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

По спектрам фотоответа структур Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ ($n$- и $p$-типа) определены значения высоты барьера Шоттки ($\varphi_{bn},\varphi_{bp}$) в диапазоне составов, отвечающих ${0\leqslant x\leqslant 0.125}$. Установлено, что для GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ $\varphi_{bn},\varphi_{bp}$ отличны от соответствующих значений для GaAs, не зависят от $x$ и равны ${\varphi_{bn}=0.78\pm 0.02}$ эВ при 300 K, ${\varphi_{bn}=0.88\pm0.03}$ эВ при 77 K, ${\varphi_{bp}=0.82\pm 0.06}$ эВ при 77 K. При рассмотрении свойств контактного барьера привлечены представления о зоне поверхностных состояний.