RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 6, страницы 1134–1136 (Mi phts268)

Краткие сообщения

Влияние электронного облучения на фоточувствительность Ge$\langle$Hg, Sb$\rangle$-структур с инжекционным усилением

Ш. Д. Курмашев, И. И. Чалая

Одесский государственный университет им. И. И. Мечникова

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 10.06.1985
Принята в печать: 07.01.1986



© МИАН, 2024