Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами

Теоретически рассмотрены процессы перехода неравновесных носителей между квантовой ямой и окружающим ее широкозонным полупроводником. Вычислена зависимость отношения интенсивностей люминесценции из квантовой ямы и широко зонного полупроподника (при генерации в широкозонном полупроводнике) от интенсивности возбуждения, температуры и параметров структуры. Рассчитана кинетика люминесценции (в режиме малых интенсивностей возбуждения) путем введения феноменологических времен, характеризующих процессы диффузии, захвата в квантовую яму и обратного теплового выброса неравновесных носителей.