М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, С. Н. Пятко, В. П. Растегаев, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом”, Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 1,страницы 133

Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом

М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, С. Н. Пятко, В. П. Растегаев, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков

Аннотация: Установлено, что электростатические свойства эпитаксиальных SiC-$6H$ $p$(А1)${-}n(N)$-структур с резким $p{-}n$-переходом в широком интервале температур (${300\div800}$ K) соответствуют теории Шокли, и на основании этого определены их электростатические параметры.
Показано, что уменьшение диффузионной разности потенциалов на $p{-}n$-переходе с ростом температуры определяется главным образом температурным ходом химических потенциалов электронов в $n$-области и дырок в $p$-области, а не температурной зависимостью ширины запретной зоны.