RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 1, страницы 147–150 (Mi phts2690)

Краткие сообщения

Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных редкоземельными элементами

Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, Б. Е. Саморуков, Н. А. Стругов




© МИАН, 2024