Рекомбинация в $n$-Si при термообработке и облучении

Методами емкостной спектроскопии глубоких уровней, эффекта Холла и нестационарной фотопроводимости исследовано влияние термообработки (ТО) в области температур ${300\div800^{\circ}}$С на поведение времени жизни неосновных носителей $\tau$ и скорости накопления $A$-центров в промышленном $n$-Si. Обнаружены увеличение $\tau$ в результате ТО и корреляция его увеличения с величиной исходного $\tau$.
Обнаружена немонотонная зависимость константы деградации при $\gamma$-облучении от температуры предварительной ТО при неизменной скорости накопления $A$-центров.
Полученные результаты объясняются распадом твердого раствора глубоких примесей и изменением рекомбинационной активности $A$-центров в результате накопления электрически активных термодефектов. Получено удовлетворительное согласие расчета с экспериментом.