RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1988, том 22, выпуск 2, страницы 219–222 (Mi phts2708)

Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs

Ю. М. Калинин, Н. П. Криворотов


Аннотация: Исследовано влияние температуры в диапазоне ${7 7\div383}$ K и гидростатического давления ${(0\div3)\cdot10^{8}}$ Па при температурах ${-50\div110^{\circ}}$С на междузонный ток туннельных диодов GaAs. Проведено сравнение экспериментальных характеристик с расчетными, полученными в рамках теорий туннельного тока Кейна и Бонч-Бруевича, Серебреникова с учетом сложного строения зоны проводимости и резонансных состояний донорной примеси. Установлено, что теория Бонч-Бруевича, Серебреникова точнее описывает эксперимент. Оценены значение энергетического зазора между $\Gamma$- и $L$-минимумами зоны проводимости ${E_{\Gamma L}\approx 0.336\pm0.036}$ эВ, энергетическое положение примесного уровня Sn, связанного с $L$-минимумами ${0.080\pm0.008}$ эВ, и термический коэффициент энергетического зазора $E_{\Gamma L}$ в уравнении Варшни $({7.7\pm0.8)\cdot10^{-5}}$. эВ/K.



© МИАН, 2024