Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si — МОП структурах

Развита теория спектроскопии пограничных состояний (ПС) методом термостимулированного разряда МДП конденсатора в режиме стабилизации его емкости для случая произвольного спектра ПС и произвольной энергетической зависимости сечений захвата электронов $\sigma$. Результаты применены для обработки экспериментальных данных, полученных на Al$-$SiO$_{2{-}n$-Si$-$Ag} — МОП структурах. В области энергий 0.2$-$0.35 эВ ниже дна зоны проводимости Si ${\sigma\simeq\mathrm{const}\simeq10^{-16}\,\text{см}^{2}}$; в области энергий 0.35$-$0.5 эВ наблюдаются ПС двух типов с различными $\sigma$: $\sigma_{1}$ изменяется в пределах $10^{-15}{-}10^{-13}$, $\sigma_{2}$ — в пределах $10^{-16}{-}10^{-14}\,\text{см}^{2}$.