Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник–диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний

Предлагается метод спектроскопии ПС по релаксационным сигналам, адекватный случаю, когда опустошение ПС происходит в режимах авто- или термоавтоэлектронной эмиссии. Поскольку темп выброса носителей заряда с ПС существенно зависит от электрического поля в слое обеднения полупроводника, естественно анализировать зависимости измеряемых сигналов от величины поверхностного изгиба зон $U_{s}$. Для дискретных и непрерывно распределенных по энергии ПС построена теория, описывающая зависимость релаксационных сигналов — плотности тока разряда ПС и сигнала DLTS от $U_{s}$. Рассмотрены два случая — измерение разряда ПС при постоянном и при монотонно возрастающем $U_{s}$. Построенная теория позволяет проводить спектроскопию ПС, опустошающихся только в авто- и термоавтоэмиссионном режимах.