О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках

В приближении изотропной среды получено выражение для флексоэлектрического потенциала областей разупорядочения (ОР), вводимых в полупроводники облучением тяжелыми частицами. Показано, что для определения полного потенциала ОР необходимо рассматривать уравнение Пуассона с плотностью заряда, отличной от обычно используемой. На примере кремния проиллюстрировано влияние флексоэлектрического потенциала на рекомбинационную эффективность ОР.