Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te(In) (${x\sim0.22}$) с различным содержанием индия

Исследованы гальваномагнитные эффекты и неравновесные состояния, индуцированные быстрым охлаждением и ИК подсветкой с помощью теплового источника в сплавах Pb$_{0.78}$Sn$_{0.22}$Te с содержанием индия $C_{\text{In}}$ от ${\sim0.01}$ до ${\sim0.2}$ ат% в магнитных полях до 60 кЭ при температурах ${4.2 <T<300}$ K.
Установлена зависимость положения уровня Ферми от $C_{\text{In}}$, соответствующая эффекту «мягкой стабилизации» химического потенциала при 4.2 K и переходу металл–диэлектрик при увеличении концентрации примеси. Показано, что кинетика спада концентрации неравновесных электронов ${\Delta n=n(t)-n_{0}}$ и проводимости ${\Delta\sigma(t)-\sigma_{0}}$ описывается функциями вида ${\Delta n\sim t^{-\alpha}}$, ${\Delta \sigma \sim t^{-\beta}}$, причем коэффициенты $\alpha,\,\beta$ монотонно увеличиваются с ростом $C_{\text{In}}$ от $\sim 0.1$ до ${\sim0.25}$. Обнаружен новый тип осцилляции — осцилляционная зависимость мгновенного времени релаксации ${\tau_{\text{мгн}}=\Delta n/|\partial\Delta n/\partial t|}$ концентрации неравновесных электронов от магнитного поля. Сложный вид таких осцилляции связывается с осциллирующим характером плотности состояний и спиновыми эффектами при туннелировании пар электронов сквозь барьер $W$, разделяющий зонные и примесные состояния в Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te(In).