Оптические свойства двойных дефектов в GaAs : Cr

Методом оптически индуцированной модуляции поглощения исследованы энергетические уровни тригонального центра «примесь + вакансия» в высокоомном GaAs : Сr $p$- и $n$-типа. Обнаружены новые линии поглощения в интервале ${0.9<\hbar\omega<1.4}$эВ. Эти линии приписываются внутрицентровым переходам с переносом заряда с примеси на вакансию и с образованием метастабильных состояний с большими временами релаксации (порядка $10^{-1}$ с) при ${T=300}$ K. Исследованы также отрицательно заряженные состояния этих центров в образцах $n$-типа.