Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру $a$-Si : H

В кластерном приближении методом ППДП/2 рассчитаны изменения интегральных и локальных плотностей состояний при различных внедрениях атомов Н, F, Сl в $a$-Si : Н.
Было выяснено, что при введении в кластер вместо центрального атома одиночных атомов F или Сl с образованием ковалентной связи уменьшается плотность состояний в щели подвижности, причем в случае фтора эффект выражен сильнее. Важной особенностью локальной плотности состояний одиночного атома F является наличие пика в валентной зоне, лежащего ниже потолка зоны на 9 эВ. При введении в вакансию 4 атомов фтора щель подвижности «очищается» полностью.
Из сравнения локальных плотностей состояний, характера химических связей фтора и хлора выяснена возможность подавления эффекта Стеблера–Вронского при введении этих элементов в $a$-Si : Н.