Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si

В кластерном приближении на основе метода ППДП/2 рассчитаны орбитальные энергии, интегральные и локальные плотности электронных состоянии фрагментов структуры кремния, состоящих из 4 координационных сфер и насыщающих псевдоатомов водорода, а также атомов германия. Рассмотрен процесс перераспределения электронной плотности в области зарождения фазы германия в кремнии. Показано, что ширина запрещенной «зоны» немонотонно зависит от числа атомов германия в кластере, что может служить причиной формирования «хвостов» плотности состояний. Наиболее чувствительными к изменению локального окружения оказываются локальные плотности состояний. Релаксация структуры приводит к уменьшению ширины запрещенной «зоны» и увеличению локальной плотности состояний у потолка валентной «зоны» на атоме германия.